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991.
田悦芳 《河北经贸大学学报(综合版)》2008,8(2):41-43
在当前媒体文化语境中,文学的发展呈现新的态势,而文学作品的影视化热潮成为其最突出表征。这一文学现象,除了表现出文学传播方式的变化,在更深层意义上反映出作家、作品、受众这三大文学要素同时发生了重大变化,应高度重视当前文学作品的影视化热潮这一现象,充分认识文学文本与影视化后的媒体文本的“互文本”关系,及时把握当前媒体文化语境中的中国当代文学的发展并扬利去弊。 相似文献
992.
《科学通报(英文版)》2008,(3)
Mn1-xZnxFe2O4 thin films with various Zn contents and of different thickness were synthesized on glass substrates directly by electroless plating in aqueous solution at 90℃ without heat treatment.The Mn-Zn ferrite films have a single spinel phase structure and well-crystallized columnar grains growing perpendicularly to the substrates.The results of conversion electron 57Fe M?ssbauer spectroscopy(CEMS)indicate that the cation distribution of Mn1-xZnxFe2O4 ferrite nanocrystal thin films fabricated by electroless plating is different from the bulk materials' and a great quantity of Fe3 ions are still present on A sites for x>0.5.When the Zn content of the films increases,Fe3 ions in the films transfer from A sites to B sites and the hyperfine magnetic field reduces,suggesting that Zn2 has strong chemical affinity towards the A sites.On the other side,with the increase of the thickness of the films,Fe3 ions,at B sites in the spinel structure,increase and the array of magnetic moments no longer lies in the thin film plane completely.At x = 0.5,Hc and Ms of Mn1-xZnxFe2O4 thin films show a minimum of 3.7 kA/m and a maximum of 419.6 kA/m,respectively. 相似文献
993.
纳晶硅氧化以后的PL发光带中心明显地钉扎在690nm~750nm波长之间,发光强度有显著的增加。我们通过研究纳晶硅氧化后化学键结构的改变和对应能带结构的变化,表明在较小尺寸纳晶硅的氧化过程中,有Si-O-Si桥键和Si=O双键的形成,产生对应的电子陷阱态出现在带隙中。PL发光的增强和中心波长的钉扎效应可以用纳晶硅中的量子受限理论和带隙中的陷阱态模型来解释。其中,陷阱态的位置低于量子受限激发态的位置是PL发光出现钉扎与增强效应的必要条件。 相似文献
994.
在石英玻璃衬底上以ZnO∶ In2O3粉末为靶材,采用射频磁控溅射法制备出具有良好c轴择优取向的ZnO∶ In薄膜,继而对样品进行二次N离子注入掺杂,成功实现N-In共掺p型ZnO薄膜.借助XRD、Hall测试、XPS和透射谱测试手段研究分析了共掺ZnO薄膜的晶体结构、电学和光学性质.结果表明制备的薄膜具有较高的结晶质量和较好的电学性能,其空穴浓度、迁移率和电阻率分别达到4.04×1018 cm-3、1.35 cm2V-1s-1和1.15 Ωcm.X光电子能谱(XPS)分析显示在p型ZnO薄膜里存在N-In键和N-Zn键,表明In掺杂可以促进N在ZnO薄膜的固溶,有利于N元素在ZnO薄膜内形成受主能级.另外,制备的ZnO薄膜在可见光范围内有很高的透射率,最高可达90%.其常温下的禁带宽度为3.2 eV,相对本征ZnO的禁带宽度略有减小. 相似文献
995.
CAO Feng WANG YiDing LIU KuiXue YIN JingZhi LONG BeiHong LI Li ZHANG Yu & CHEN XiaMei State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics College of Electronic Science Engineering Jilin University Changchun China 《科学通报(英文版)》2009,(13)
Niobium-doped ZnO transparent conductive films are deposited on glass substrates by radio frequency sputtering at 300℃.The influence of O2/Ar ratio on the structural,electrical and optical properties of the as-deposited films is investigated by X-ray diffraction,Hall measurement and optical transmission spectroscopy.The lowest resistivity of 4.0×10-4 Ω·cm is obtained from the film deposited at the O2/Ar ratio of 1/12.The average optical transmittance of the films is over 90%. 相似文献
996.
997.
硅在稻草中主要以粒径为15μm的硅晶胞形式存在于植物外层,在制浆过程中硅晶胞作为整体溶脱后再以相对小的硅晶胞附着在纤维上.在pH值、粒子粒径和反应时间几个影响硅溶出的因素中,pH值为控制因素.硅在溶液中主要以无定形形态析出,析出的硅主要附着在纤维表面,当有阳离子聚合物存在时硅沉降速度和沉降量急剧上升 相似文献
998.
聚电解质与相反电荷的表面活性剂在溶液中通过分子自组装可生成聚电解质表面活性剂固态复合物(PE-Surfs).PE-Surfs具有较好的热学,力学以及光学性能,已在可控渗透膜、光电响应性有机薄膜及化学传感器等领域显示出很好的应用和发展前景.通过改变聚电解质与表面活性剂的结构和种类可制备具有不同结构和性能的功能材料.本文对PE-Surfs的制备、结构与性能以及应用前景进行概述. 相似文献
999.
用测量多孔硅反射谱的方法研究了多孔硅在吸收边附近的特性。由于多孔硅的微空洞和残余部分大约只有纳米量级,故采用波长为200~2600nm的红外到紫外范围的光照射,根据多层膜的反射公式,计算出多孔硅在吸收边附近的吸收系数。结果表明(αhω)2与(hω-Eg)呈线性关系,表明多孔硅在一定程度上已转变为直接带隙半导体。 相似文献
1000.
研究了SiCp粒子尺寸、质量分数及热处理工艺对铸造SiCp/ZL201复合材料的室温和高温力学性能的影响.随SiC粒子质量分数的提高和粒子尺寸的增大,复合材料的室温抗拉强度呈下降趋势.随温度升高,基体合金的抗拉强度急剧下降,而复合材料的抗拉强度则下降较小.当温度大于240℃时复合材料的抗拉强度高于基体合金,这表明SiC粒子的加入提高了基体合金的高温抗拉强度. 相似文献